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Home Page > Blog > Base di conoscenza > Semiconduttori di tipo N e di tipo P - Spiegazione
Tipo P e tipo N semiconduttori, sono i semiconduttori più comuni (ad esempio, diodi, transistor e circuiti integrati). Questi due tipi di semiconduttori lavorano insieme nei dispositivi elettronici per creare i vari componenti elettronici che utilizziamo quotidianamente.
Questo articolo approfondirà i concetti di base dei semiconduttori di tipo P e di tipo N e le loro principali applicazioni nei dispositivi elettronici moderni. Confronterà inoltre le differenze tra i semiconduttori di tipo P e di tipo N. Speriamo che, dopo aver letto questo articolo, vi aiuti a comprendere meglio come questi due semiconduttori interagiscono e forniscono energia per la realizzazione di vari componenti elettronici ad alte prestazioni.
Prima di comprendere i semiconduttori di tipo P e di tipo N, cerchiamo di capire cos'è un semiconduttore.
Come già detto, i semiconduttori non sono un singolo materiale, ma sono realizzati drogando diversi elementi. Esatto, l'essenza di un semiconduttore è un materiale con un'adeguata conduttività elettrica tra un conduttore e un isolante, drogando diversi elementi (come elementi trivalenti e pentavalenti) per formare semiconduttori di tipo P e di tipo N. Ciò significa che i semiconduttori possono condurre elettricità in determinate condizioni e non in altre.
L'applicazione dei semiconduttori è molto ampia e viene utilizzata in una varietà di dispositivi, come processori per computer, chip di memoria, celle solari, LED e transistor. Si può affermare che i semiconduttori siano la base di quasi tutti i circuiti elettronici, per funzioni come l'amplificazione, la commutazione e la modulazione del segnale.
Il semiconduttore di tipo N è un materiale semiconduttore realizzato incorporando un elemento pentavalente *, come fosforo, arsenico o antimonio. L'incorporazione di questi elementi pentavalenti aumenta notevolmente il numero di elettroni nei semiconduttori di tipo N rispetto a semiconduttori intrinseci *.
I principali portatori di carica dei semiconduttori di tipo N sono gli elettroni liberi, che provengono dagli elementi pentavalenti incorporati che possono muoversi liberamente nel cristallo. Quando un campo elettrico esterno viene applicato al semiconduttore, questi elettroni liberi migrano sotto l'azione del campo elettrico, formando una corrente elettrica. Nei semiconduttori di tipo N, a causa della maggiore concentrazione di elettroni e del minor numero di lacune (ovvero, dove gli elettroni mancano nel cristallo), conducono elettricità molto meno degli elettroni liberi. La "N" di un semiconduttore di tipo N significa che il suo portatore principale è un elettrone con carica negativa; nei dispositivi elettronici, viene utilizzato principalmente come mezzo conduttore per la corrente.
*Elementi pentavalenti hanno cinque elettroni esterni, quattro dei quali formano legami covalenti con altri atomi nel reticolo del silicio, mentre l'elettrone rimanente non partecipa alla formazione del legame covalente, formando elettroni liberi, che conferiscono ai semiconduttori di tipo N una maggiore conduttività elettrica.
*Semiconduttore intrinseco Si riferisce a materiali semiconduttori puri che non sono drogati con altri elementi. La loro conduttività è determinata esclusivamente dalle proprietà del materiale stesso, anziché essere regolata da impurità esterne come gli elementi drogati.
Tipicamente, i semiconduttori di tipo N sono realizzati utilizzando il silicio (Si) come substrato incorporando materiali droganti come elementi pentavalenti (come fosforo, arsenico o antimonio). Questi elementi pentavalenti droganti avranno un elettrone in più, formando quattro legami covalenti con l'atomo di silicio, lasciando un elettrone libero che non partecipa al legame. Questo elettrone libero, che non appartiene ad alcun atomo, è libero di muoversi attraverso la struttura cristallina, migliorando così la capacità del materiale di condurre elettricità.
Il processo di drogaggio è un passaggio fondamentale per modificare le proprietà di un semiconduttore. Regolando la concentrazione di incorporazione, è possibile controllare con precisione la conduttività dei semiconduttori di tipo N.
I diagrammi a bande di tipo N sono diagrammi che descrivono la distribuzione di energia degli elettroni all'interno dei semiconduttori di tipo N, aiutandoci a comprendere come gli elettroni nei materiali semiconduttori sono distribuiti in diverse bande di energia e come sono influenzati da fattori quali il drogaggio (ad esempio l'incorporazione di elementi pentavalenti) e i campi elettrici esterni.
Banda di conduzione: Una banda in cui gli elettroni possono muoversi liberamente. (È qui che gli elettroni possono muoversi liberamente attraverso il materiale, il che consente loro di condurre elettricità.)
Banda di valenza: La banda energetica più alta che un elettrone può occupare senza eccitazione esterna. (Gli elettroni nelle bande di valenza di solito non fluiscono liberamente.)
Banda proibita: L'area di energia compresa tra la banda di conduzione e quella di valenza.
Livello di Fermi: Livello energetico di riferimento che indica lo stato energetico di un elettrone.
Elettroni liberi: L'elemento pentavalente aggiunto fornisce elettroni aggiuntivi, che riempiono la lacuna vicino alla banda di conduzione, formando così elettroni liberi.
Per i semiconduttori di tipo N, il livello di Fermi è più vicino alla regione della banda di conduzione rispetto alla banda di conduzione. Le bande di conduzione sono bande ad alta energia in cui gli elettroni possono muoversi liberamente attraverso il semiconduttore. Poiché nei semiconduttori di tipo N sono presenti numerosi elettroni liberi, questi possono entrare nella banda di conduzione sotto l'azione di un campo elettrico esterno, ottenendo così la conduzione. Nel diagramma di bande, il bandgap tra la banda di conduzione e la banda di valenza è solitamente ampio e gli elettroni devono superare determinate barriere energetiche per passare dalla banda di valenza a quella di conduzione. Tuttavia, nei semiconduttori di tipo N, poiché gli elementi pentavalenti aggiunti forniscono elettroni aggiuntivi, questi elettroni non hanno bisogno di attraversare il bandgap, ma si trovano direttamente vicino alla banda di conduzione, consentendo agli elettroni di fluire liberamente.
Grazie alla presenza di elettroni liberi, i semiconduttori di tipo N hanno un'elevata conduttività e possono condurre elettricità sotto l'azione di campi elettrici esterni. Quando un campo elettrico viene applicato a un semiconduttore di tipo N, gli elettroni liberi fluiscono da una regione ad alto potenziale a una regione a basso potenziale, generando una corrente elettrica. L'efficienza di trasporto degli elettroni liberi è molto elevata e la conduttività dei semiconduttori di tipo N è solitamente elevata.
La conduttività dei semiconduttori di tipo N è influenzata dalla temperatura e dalla concentrazione di drogaggio. Maggiore è la temperatura, maggiore è il numero di elettroni liberi nel materiale e maggiore è la conduttività. Maggiore è la concentrazione di drogaggio, maggiore è il numero di elettroni liberi nel semiconduttore e, di conseguenza, la conduttività elettrica.
I semiconduttori di tipo N sono ampiamente utilizzati in vari dispositivi elettronici, ad esempio diodi, transistor, celle solari, regolatori di tensione e circuiti integrati.
I semiconduttori di tipo P si formano drogando elementi trivalenti (come boro, alluminio, gallio, ecc.) in silicio puro (Si) o germanio (Ge). Dopo il drogaggio di questi elementi trivalenti, nei semiconduttori di tipo P si forma un gran numero di lacune (portatori di carica positiva), che ne aumenta significativamente la conduttività elettrica. A differenza degli elettroni liberi dei semiconduttori di tipo N, i principali portatori di carica dei semiconduttori di tipo P sono le lacune, che possono muoversi liberamente nel cristallo semiconduttore per consentire il passaggio della corrente.
I semiconduttori di tipo P solitamente utilizzano il silicio (Si) come substrato con elementi trivalenti (come boro, gallio, alluminio, ecc.). Questi elementi trivalenti hanno tre elettroni esterni e, quando si combinano con atomi di silicio, ogni elemento trivalente forma un legame covalente con quattro atomi di silicio, ma poiché l'elemento trivalente manca di un elettrone, si crea una lacuna. Le lacune possono essere viste come portatori di carica positiva che possono muoversi attraverso il cristallo e quindi condurre corrente.
Allo stesso modo in cui le mappe di bande di tipo N sono state descritte in precedenza, le mappe di bande di tipo P ci aiutano a comprendere come gli elettroni sono distribuiti nei materiali semiconduttori e come sono influenzati da fattori come il drogaggio (ad esempio l'incorporazione di elementi trivalenti) e i campi elettrici esterni. Gli elementi chiave di una mappa di bande di un semiconduttore di tipo P sono gli stessi di quelli di un semiconduttore di tipo N, ma la mappa di bande è diversa, come mostrato di seguito.
Nei semiconduttori di tipo P è presente un gran numero di lacune, e il flusso di lacune consente loro di condurre elettricità. Sotto l'azione di un campo elettrico applicato, la lacuna si sposta dalla regione ad alto potenziale a quella a basso potenziale, generando una corrente elettrica.
Maggiore è la temperatura, maggiore è il numero di lacune nel semiconduttore di tipo P e maggiore è la conduttività. Maggiore è la concentrazione di drogaggio, maggiore è il numero di lacune nel semiconduttore di tipo P e maggiore è la conduttività.
I semiconduttori di tipo P sono ampiamente utilizzati anche in vari dispositivi elettronici, come diodi, transistor, fotodiodi, ecc.
Abbiamo descritto la definizione, il processo di drogaggio, il diagramma a bande, la conduttività elettrica e le applicazioni dei semiconduttori di tipo N e di tipo P. Ora diamo un'occhiata alle differenze tra i due tipi, come mostrato nella tabella.
|
Articolo |
Semiconduttore di tipo P |
Semiconduttore di tipo N |
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Elemento dopante |
elementi trivalenti (ad esempio, boro) |
elementi pentavalenti (ad esempio, fosforo) |
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Vettore principale |
buchi (carica positiva) |
elettroni liberi (carica negativa) |
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Movimento del vettore |
I buchi si muovono sotto l'influenza del campo elettrico |
Gli elettroni liberi si muovono sotto l'influenza del campo elettrico |
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livello di Fermi |
Cperdere la banda di valenza |
Cperdere la banda di conduzione |
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Meccanismo di conduzione |
Conduce attraverso il movimento dei fori |
Conduce attraverso il movimento degli elettroni liberi |
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Differenza applicativa |
Utilizzato nei transistor PNP, nei fotodiodi, ecc. |
Utilizzato nei transistor NPN, MOSFET, ecc. |
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Applicazione |
Diodi a giunzione PN, transistor PNP |
Transistor NPN, MOSFET di tipo N |
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Ruolo nei circuiti |
Utilizzato principalmente per costruire il terminale positivo |
Utilizzato principalmente per costruire il terminale negativo |
La giunzione PN è la combinazione di semiconduttori di tipo P e di tipo N. La combinazione di semiconduttori di tipo P e di tipo N forma molti dispositivi elettronici fondamentali. Ora, impariamo di più su di essa.
Nel processo di formazione della giunzione PN si verificano diversi fenomeni: diffusione dei portatori, formazione della zona di svuotamento e campo elettrico interno.
Diffusione del vettore si riferisce alla diffusione di elettroni liberi da un semiconduttore di tipo N a un semiconduttore di tipo P e alla diffusione di lacune da un semiconduttore di tipo P a un semiconduttore di tipo N durante la formazione della giunzione PN. La ragione di ciò è che l'alta concentrazione di portatori si diffonderà naturalmente nella regione a bassa concentrazione fino a quando le concentrazioni di portatori su entrambi i lati tenderanno a bilanciarsi. Quindi, quando gli elettroni diffondono dal semiconduttore di tipo N a quello di tipo P, riempiendo le lacune nel semiconduttore di tipo P, si formano ioni negativi. Su un lato del semiconduttore di tipo N, il flusso di elettroni porta a una mancanza di elettroni liberi, formando ioni positivi. A questo punto, la regione di legame di lacune ed elettroni forma un regione di esaurimento, senza portatori di carica e senza corrente che lo attraversa. Nella regione di svuotamento, il campo elettrico formato nella regione della giunzione PN a causa della separazione di carica tra ioni positivi e negativi è chiamato campo elettrico interno o campo elettrico intrinseco.
La caratteristica di conduzione della giunzione PN si riferisce alla conduzione di corrente o al comportamento di blocco della giunzione PN in diverse condizioni di tensione. La giunzione PN è principalmente influenzata dalle due seguenti condizioni:
Polarizzazione in avanti: ovvero, quando il semiconduttore di tipo P è collegato al terminale positivo dell'alimentatore e il semiconduttore di tipo N è collegato al terminale negativo dell'alimentatore, la tensione applicata esternamente ridurrà l'influenza del campo elettrico interno, in modo che le lacune nel semiconduttore di tipo P e gli elettroni nel semiconduttore di tipo N possano passare attraverso la giunzione PN per formare una corrente. A questo punto, la giunzione PN può condurre elettricità.
Invertire pregiudizio: Quando il semiconduttore di tipo P è collegato all'elettrodo negativo dell'alimentatore e il semiconduttore di tipo N è collegato all'elettrodo positivo dell'alimentatore, la tensione applicata esternamente aumenta l'intensità del campo elettrico interno, rendendo difficile il passaggio di elettroni e lacune attraverso la giunzione PN. In questo momento, la giunzione PN non conduce elettricità. Naturalmente, quando la tensione applicata è sufficientemente elevata da romperla, la corrente aumenta improvvisamente. Queste sono le proprietà conduttive della giunzione PN, che la rendono molto importante nei dispositivi elettronici. I diodi, ad esempio, sfruttano queste caratteristiche conduttive della giunzione PN per controllare il flusso e l'entità della corrente.
Nella giunzione PN, il semiconduttore di tipo P fornisce lacune come principali portatori di carica e si muove verso il semiconduttore di tipo N sotto l'azione di un campo elettrico. I semiconduttori di tipo N forniscono elettroni liberi come principali portatori, che si muovono verso i semiconduttori di tipo P sotto l'azione di un campo elettrico. Il semiconduttore di tipo P e il semiconduttore di tipo N cooperano tra loro attraverso la diffusione e l'azione del campo elettrico per formare una zona di svuotamento e un campo elettrico interno, in modo che la giunzione PN possa controllare efficacemente il flusso di corrente.
In una parola, i semiconduttori di tipo P e di tipo N sono i mattoni fondamentali dell'elettronica moderna. Che li si utilizzi in diodi o transistor, comprenderne le proprietà e le differenze è fondamentale per progettare e ottimizzare i circuiti elettronici. Spero che questo articolo vi sia stato utile per comprendere i semiconduttori di tipo P e di tipo N.
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